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當(dāng)前(qián)位置：首(shǒu)頁(yè)技術(shù)文(wén)章痕量(liáng)氣體檢測(cè)-TDLAS型氣(qì)體分(fēn)析(xī)儀(yí)解決(jué)方(fāng)案

痕量氣體(tǐ)檢測(cè)-TDLAS型氣體分(fēn)析(xī)儀解(jiě)決方(fāng)案

更新時間(jiān)：2022-08-03點(diǎn)擊(jī)次數(shù)：2815
TDLAS技(jì)術可提供一(yī)種(zhǒng)響應快速(sù)，靈敏度(dù)高，可(kě)靠，可現(xiàn)場(cháng)實時以及在綫檢測的氣(qì)體(tǐ)測(cè)量方(fāng)法，在醫(yī)藥，工(gōng)業，和環境科學(xué)得到(dào)了廣泛的應(yīng)用。TDLAS已被多個國家廣泛用於(yú)測量CO，CO2，HCl，NO，N2O，NH3，CH4，CH2O等(děng)痕量(liáng)氣(qì)體。
基(jī)於TDLAS技術(shù)的(dí)氣體傳感器，核心(xīn)部分為DFB半(bàn)導(dǎo)體激光器(qì)，與紅(hóng)外探(tàn)測器。

DFB半導(dǎo)體激光器(qì)：DFB( Distributed Feedback Laser)，即分布(bù)式(shì)反饋激(jī)光器(qì)，其不同之處是(shì)內置了布拉(lā)格光柵（Bragg Grating），屬(shǔ)於側麵發射(shè)的(dí)半(bàn)導(dǎo)體激光(guāng)器。DFB激光(guāng)器(qì)*大(dà)特(tè)點是具有(yǒu)非常好(hǎo)的單(dān)色性（即(jí)光譜純度），它的(dí)綫寬普遍可(kě)以做(zuò)到1MHz以(yǐ)內(nèi)，以及(jí)具(jù)有非(fēi)常高(gāo)的邊模抑製(zhì)比(bǐ)（SMSR），目前(qián)可高(gāo)達(dá)40-50dB以(yǐ)上。DFB激(jī)光(guāng)器(qì)*大(dà)特(tè)點是(shì)具有(yǒu)非常好的(dí)單(dān)色性（即光譜純(chún)度(dù)），它(tā)的(dí)綫寬(kuān)普(pǔ)遍可以(yǐ)做到1MHz以內，以及具有非(fēi)常(cháng)高(gāo)的(dí)邊模抑(yì)製(zhì)比（SMSR），可高(gāo)達40-50dB以上。先(xiān)鋒科技公司代理(lǐ)的RGB Lasersystems，FLC等(děng)公(gōng)司(sī)的產(chǎn)品(pǐn)能夠提(tí)供(gōng)適合如下(xià)應用(yòng)的(dí)產品。
DFB中心(xīn)波(bō)長(cháng)主要應用DFB中心波長(cháng)主要應(yīng)用
760/761/763nm氧(yǎng)氣（O2）分析1590nm硫化(huà)氫（H2S）氣(qì)體分析
852nmCsD2銫原(yuán)子鐘(zhōng)1580/2330nm一(yī)氧化碳(tàn)（CO）氣(qì)體(tǐ)分(fēn)析
894nmCsD1銫(sè)原子鐘(zhōng)1579nm一碳(tàn)二碳（CO/CO2）同(tóng)時分析(xī)
1392/1877/2740nm水分子（H2O）分析1654nm甲烷（CH4）氣(qì)體分(fēn)析
1064nmNd:YAG激(jī)光(guāng)器(qì)種子源(yuán)1742nm氯(lǜ)化氫（HCl）氣體分(fēn)析
1178nm大(dà)功(gōng)率光(guāng)纖激光器種(zhǒng)子源1800nm/2650nm一(yī)氧化氮（NO）氣體分析
1273nm氟化氫（HF） 氣體分(fēn)析(xī)2004nm/2680nm二(èr)氧化碳（CO2）氣(qì)體分(fēn)析(xī)
1341nm溴(xiù)化氫（HBr） 氣體(tǐ)分析2257nm氧(yǎng)化二氮(dàn)（N2O）氣(qì)體分析(xī)
1512nm氨氣（NH3）氣(qì)體分析(xī)3370nm丙(bǐng)烷（C3H8）氣體分析
1540nm氰化(huà)氫（HCN）氣體(tǐ)分(fēn)析(xī)

紅外探測(cè)器，基(jī)於TDLAS原理(lǐ)的氣體(tǐ)傳(chuán)感器，選擇的氣體(tǐ)吸收(shōu)峰一般都(dū)在(zài)近(jìn)紅外的波(bō)段，基(jī)於此(cǐ)目前先鋒科(kē)技公(gōng)司能夠提(tí)供(gōng)美國JUDSON公(gōng)司的(dí)截止波長為0.8um-2.6um的(dí)InGaAs紅外探(tàn)測(cè)器來(lái)滿(mǎn)足(zú)TDLAS型(xíng)氣體傳感(gǎn)器的需求(qiú)。
InGaAs探(tàn)測器(qì)
隨著In，Ga，As三種元素(sù)比(bǐ)例不(bù)同，InGaAs探測器能夠檢(jiǎn)測的截(jié)止波(bō)長(cháng)也(yě)有所不同(tóng)，Judson能夠提供(gōng)1.7um，1.9um，2.2um，2.4um，2.6um等(děng)多種截(jié)止(zhǐ)波長的InGaAs探測器，並(bìng)有(yǒu)4個半導體(tǐ)製(zhì)冷(lěng)級(jí)別可供(gōng)用戶選(xuǎn)擇(zé)，從(cóng)而為客戶的應(yīng)用(yòng)提供適合的產品。

 

截(jié)止(zhǐ)波(bō)長(cháng)可選(xuǎn)製(zhì)冷(lěng)方式有(yǒu)效探(tàn)測麵(miàn)直徑(jìng)應用
J221.7um1-2級半(bàn)導(dǎo)體製冷(lěng)40um-5mm氣(qì)體分(fēn)析
J231.9um，2.2um，2.4um，2.6um1-4級(jí)半導(dǎo)體(tǐ)製冷250um-5mm氣體分(fēn)析


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