冷CCD在微光顯(xiǎn)微(wēi)鏡(EMMI)的(dí)應(yīng)用(yòng)

半導體器件和電路製造技術飛(fēi)速發展，器件特征尺寸不斷下降，而集成度(dù)不斷上(shàng)升(shēng)
。這兩方麵的變化都給(gěi)失效缺陷定(dìng)位和失效(xiào)機理的分(fēn)析帶(dài)來(lái)巨(jù)大的(dí)挑戰
。對(duì)於(yú)半導(dǎo)體失(shī)效(xiào)分(fēn)析(FA)而(ér)言，微(wēi)光(guāng)顯(xiǎn)微鏡(jìng)(Emission Microscope, EMMI)是一種相(xiāng)當(dāng)有用且(qiě)效率(shuài)高的分析工具
。微(wēi)光顯微鏡(jìng)其高靈(líng)敏度的偵(zhēn)測(cè)能力(lì)，可偵測(cè)到(dào)半導(dǎo)體組(zǔ)件(jiàn)中電(diàn)子－電(diàn)洞對再結合時所(suǒ)發射(shè)出(chū)來的光綫(xiàn)，能偵(zhēn)測到(dào)的(dí)波長約(yuē)在350nm ~ 1100nm 左右
。 它可(kě)以(yǐ)廣(guǎng)泛的應用於偵測IC 中各種組件缺陷所產生的漏電(diàn)流，如： Gate oxide defects / Leakage，Latch up，ESD failure，junction Leakage等
。EMMI的工作原理圖如下:

由於(yú)加速載(zǎi)流子發光，即在(zài)局(jú)部的強(qiáng)場(cháng)作(zuò)用下(xià)產生的高(gāo)速載流(liú)子與(yǔ)晶格(gé)原(yuán)子(zǐ)發生(shēng)碰撞(zhuàng)離化，發射(shè)出光子，通常其光(guāng)譜(pǔ)在可(kě)見(jiàn)光(guāng)範(fàn)圍內(nèi)有(yǒu)一個寬(kuān)的(dí)分布(bù)（ 650-1050 nm ），采(cǎi)用深(shēn)度製冷(lěng)的CCD相機可(kě)以拍(pāi)攝到此(cǐ)現象(xiàng)
。

            
先(xiān)鋒(fēng)科技(jì)公(gōng)司代(dài)理(lǐ)的(dí)英(yīng)國(guó)安(ān)道(dào)爾公司深(shēn)度製(zhì)冷CCD相(xiāng)機(jī)，5年的真空封閉(bì)質(zhì)保期，免除了(liǎo)您(nín)對(duì)於售後(hòu)造(zào)成(chéng)的(dí)困擾，同時相(xiāng)機在(zài)近(jìn)紅外區(qū)域具有好的(dí)信噪比，針(zhēn)對(duì)EMMI的(dí)應(yīng)用(yòng)，主(zhǔ)要推薦CCD相機(jī)如(rú)下(xià)：