在高(gāo)真(zhēn)空與(yǔ)超高真(zhēn)空(kōng)技術所(suǒ)構建的潔淨,無擾動(dòng)環境中,殘餘氣(qì)體——即(jí)係統(tǒng)內(nèi)除(chú)了被(bèi)抽(chōu)除氣(qì)體(tǐ)外(wài)所殘(cán)留的(dí)所有氣體分子(zǐ)——是影響工藝精(jīng)度(dù),產品(pǐn)良(liáng)率,實(shí)驗可重復(fù)性(xìng)及(jí)設(shè)備壽命的核(hé)心(xīn)變量。殘(cán)餘氣體分(fēn)析(xī)儀(yí),常(cháng)被稱為(wéi)RGA,正(zhèng)是用(yòng)於(yú)實時,在綫,定(dìng)性(xìng)及(jí)定量地檢(jiǎn)測和分(fēn)析這些微量氣體(tǐ)的精密(mì)儀器(qì)。

殘餘氣體(tǐ)分析(xī)儀(yí)的(dí)核心(xīn)工作原理:質譜(pǔ)法(fǎ)的藝(yì)術
1.電離(lí):從真(zhēn)空(kōng)係(xì)統(tǒng)中(zhōng)抽取(qǔ)的微量(liáng)氣體(tǐ),首(shǒu)先進入(rù)RGA的(dí)離子源(yuán)。常用(yòng)的是熱陰(yīn)極(jí)電(diàn)離(lí)規,其(qí)核心(xīn)是一個(gè)熾(chì)熱的(dí)燈絲(如鎢絲,錸(lái)絲)發(fā)射電(diàn)子。這些電(diàn)子在(zài)電(diàn)場加速下,與(yǔ)氣體(tǐ)分子(zǐ)碰撞,通(tōng)過(guò)電子(zǐ)碰(pèng)撞(zhuàng)電離(lí)過(guò)程(chéng),將(jiāng)中性(xìng)分(fēn)子(zǐ)打掉一個或(huò)多(duō)個(gè)電(diàn)子(zǐ),形成(chéng)正離子(少數(shù)情況(kuàng)下為負離子(zǐ))。電(diàn)離效率與氣體的電(diàn)離(lí)能密切相關(guān)。
2.質(zhì)量(liáng)分(fēn)離:產生的離子束(shù)被引出並(bìng)進(jìn)入質量分析器。這(zhè)是RGA的“心髒”,決(jué)定了儀器(qì)的(dí)性能(néng)。最(zuì)常(cháng)見的是(shì)四極杆(gān)質量分(fēn)析器(qì)。它(tā)由四根平行(háng)的精密(mì)金(jīn)屬(shǔ)杆(gān)組(zǔ)成,杆間施(shī)加(jiā)直(zhí)流(liú)電(diàn)壓和射(shè)頻電(diàn)壓的特定(dìng)組合(hé)。隻(zhī)有特定(dìng)質荷(hé)比的(dí)離子才(cái)能在四(sì)極杆(gān)的(dí)振(zhèn)蕩(dàng)場中保(bǎo)持穩定(dìng)軌跡,順利(lì)通(tōng)過到達檢測(cè)器;其他(tā)離(lí)子軌(guǐ)跡會變得(dé)不穩定而撞到(dào)杆(gān)上(shàng)被中和。通(tōng)過快(kuài)速(sù)掃描四極(jí)杆上的電(diàn)壓,即(jí)可實(shí)現對(duì)所有質荷比(bǐ)離(lí)子的(dí)依次(cì)檢(jiǎn)測(cè),形成(chéng)質(zhì)譜圖(tú)。
3.檢(jiǎn)測(cè)與數據處理:通(tōng)過分(fēn)析(xī)器的離(lí)子撞擊檢(jiǎn)測器(如電子倍增器,法拉(lā)第杯)產(chǎn)生(shēng)電(diàn)信號(hào)。信(xìn)號(hào)強(qiáng)度(dù)與相(xiāng)應離子的數(shù)量成正(zhèng)比(bǐ)。儀(yí)器內(nèi)部的處(chǔ)理器將(jiāng)信號按質(zhì)荷(hé)比排序,放大,數字化,最(zuì)終以質譜(pǔ)圖(離子流(liú)強度(dù)vs.質荷比(bǐ))或分壓表的(dí)形(xíng)式(shì)呈(chéng)現(xiàn)給(gěi)用戶。
關鍵(jiàn)組(zǔ)成部(bù)分(fēn)與(yǔ)技術(shù)特(tè)點(diǎn):
1.高(gāo)性能離(lí)子源:需(xū)具備高(gāo)電離(lí)效率,低(dī)記憶(yì)效應(yīng)(即(jí)對前次測量(liáng)殘留(liú)氣(qì)體(tǐ)的影響(xiǎng)小),低(dī)功率消耗以(yǐ)減少自身放氣(qì)。
2.精密四極杆:對(duì)加工精度,材料(如鉬,因(yīn)瓦(wǎ)合金)和裝配工藝要求(qiú)高(gāo),直(zhí)接(jiē)影響分辨率(區分(fēn)相(xiāng)鄰質量數(shù)的(dí)能力)和(hé)穩定性。
3.超靈敏檢(jiǎn)測(cè)器(qì):電子(zǐ)倍增器可將(jiāng)單(dān)個(gè)離(lí)子的(dí)信(xìn)號放(fàng)大數百萬(wàn)倍,使(shǐ)RGA能(néng)檢測(cè)到低至10⁻¹⁴Torr(約(yuē)1.3×10⁻¹²Pa)級別(bié)的(dí)分(fēn)壓(yā),即極微量的(dí)氣(qì)體。
4.真(zhēn)空兼容(róng)性與抗汙(wū)染設計(jì):整(zhěng)個(gè)RGA必(bì)須(xū)能在(zài)高真空環境(jìng)中(zhōng)工作,其所有(yǒu)材(cái)料(liào)(包括(kuò)O-ring密封)必須(xū)經過(guò)嚴格除(chú)氣處理(lǐ),自身(shēn)放氣量極低。同時,針(zhēn)對工(gōng)藝中可能(néng)產生的冷凝(níng)物(如金(jīn)屬(shǔ)蒸汽(qì))和活(huó)性(xìng)氣(qì)體(如氟,氯(lǜ)),需要有(yǒu)防(fáng)護措施(如(rú)冷(lěng)阱(jǐng),防護罩(zhào))。
5.軟件(jiàn)與(yǔ)接(jiē)口:現代(dài)RGA配(pèi)備(bèi)強(qiáng)的(dí)軟(ruǎn)件(jiàn),可實(shí)現(xiàn)質(zhì)譜掃(sǎo)描,分(fēn)壓監測,歷史趨(qū)勢(shì)記錄,氣(qì)體庫比對(duì)定(dìng)性,半(bàn)定量/定(dìng)量(liáng)分(fēn)析(xī),並能通過GPIB,USB,以(yǐ)太網(wǎng)等(děng)接口(kǒu)與真(zhēn)空係統,工(gōng)藝設(shè)備集(jí)成(chéng),實(shí)現自動(dòng)化控製(zhì)。
殘(cán)餘(yú)氣(qì)體分(fēn)析(xī)儀(yí)的主要應用領(lǐng)域:
1.半導(dǎo)體(tǐ)製造與(yǔ)鍍膜(mó):
過程監(jiān)控(kòng):在物(wù)理氣(qì)相沉積,化(huà)學(xué)氣(qì)相沉(chén)積,刻(kè)蝕(shí)等(děng)工藝中,實(shí)時監(jiān)測工藝(yì)氣(qì)體(tǐ)純度(dù),反(fǎn)應副產(chǎn)物(wù),空(kōng)氣泄漏(如(rú)水(shuǐ)汽,氧氣(qì),氮氣),確(què)保工(gōng)藝(yì)環境(jìng)可控。例如,檢測(cè)到(dào)氧(yǎng)氣峰可能意味著真空(kōng)密封失效(xiào)或前(qián)道(dào)工(gōng)序清(qīng)洗(xǐ)不(bù)幹淨(jìng)。
腔(qiāng)室(shì)健康診(zhěn)斷(duàn):定(dìng)期“體檢”真空(kōng)腔室(shì),識別(bié)汙(wū)染源(如泵(bèng)油(yóu)回返的(dí)碳氫(qīng)化合(hé)物峰,真(zhēn)空(kōng)脂放氣(qì),材(cái)料放氣(qì))。
泄漏定位:通(tōng)過監(jiān)測特(tè)定示(shì)蹤氣(qì)體(如(rú)氦(hài)氣),幫(bāng)助定(dìng)位微小泄(xiè)漏點。
2.科學研究(jiū):
粒(lì)子(zǐ)加(jiā)速器:監測(cè)束(shù)流管(guǎn)道(dào)中的殘(cán)餘氣體,因(yīn)為(wéi)氣體分子(zǐ)會(huì)與高能(néng)粒(lì)子碰撞,導(dǎo)致束(shù)流(liú)損(sǔn)失(shī)和(hé)背景(jǐng)噪(zào)聲。
表麵科(kē)學:研究表麵吸(xī)附,脫(tuō)附(fù),催(cuī)化反(fǎn)應時,分(fēn)析反應(yīng)生(shēng)成的氣體(tǐ)產物。
低溫學與空間模(mó)擬:在(zài)模擬太空(kōng)環境(jìng)的真空熱(rè)試驗中,監(jiān)測艙(cāng)內(nèi)可(kě)能產生(shēng)的氣(qì)體,確(què)保模(mó)擬(nǐ)環境真(zhēn)實(shí)性。
3.工(gōng)業與(yǔ)製造業(yè):
光學器(qì)件(jiàn)鍍(dù)膜:對(duì)薄膜的純度,折射(shè)率有高(gāo)要求,任何氣(qì)體(tǐ)汙(wū)染都(dū)會(huì)導(dǎo)致薄膜缺陷(xiàn)。
高(gāo)能激(jī)光(guāng)器(qì),電(diàn)子顯微鏡:防止氣體(tǐ)分子(zǐ)放(fàng)電(diàn)或(huò)散射,保護精密光(guāng)學元件(jiàn)和電(diàn)子(zǐ)束。
光伏,平板(bǎn)顯示:類似半導(dǎo)體,保(bǎo)障(zhàng)大麵(miàn)積鍍(dù)膜均匀性(xìng)和良率(shuài)。