殘餘(yú)氣體分(fēn)析(xī)儀（簡稱 RGA）是一種(zhǒng)基(jī)於質(zhì)譜分析(xī)技術(shù)，用於研究(jiū)真空中殘餘(yú)氣體成分和含量的(dí)儀器(qì)。以(yǐ)下是詳(xiáng)細介紹(shào)：

工(gōng)作原理

殘(cán)餘(yú)氣(qì)體分析儀通常采用(yòng)四極(jí)杆質譜(pǔ)儀(yí)的原理，主要(yào)由(yóu)離子源，分析(xī)器(qì)和檢測器三(sān)部(bù)分(fēn)組(zǔ)成。中性(xìng)氣體粒子在離(lí)子(zǐ)源中通(tōng)過電子(zǐ)撞擊(jī)等(děng)方式電(diàn)離成離(lí)子，離子(zǐ)經(jīng)萃取透鏡進(jìn)入(rù)帶(dài)有四(sì)極(jí)電(diàn)場的(dí)分析(xī)器，四極(jí)場根(gēn)據離子的質量電荷(hé)比(bǐ)進行(háng)離(lí)子分(fēn)辨，隻(zhī)有(yǒu)特(tè)定(dìng)質(zhì)量電荷比的離子才(cái)能通(tōng)過金(jīn)屬棒(bàng)係(xì)統到達檢測器(qì)，檢測器將離(lí)子轉化為電信號，從而(ér)檢測出(chū)真空係統(tǒng)中殘餘氣體的成分(fēn)和含(hán)量(liáng)。

主要(yào)功(gōng)能

• 殘餘(yú)氣(qì)體(tǐ)分(fēn)析(xī)：對真空係(xì)統中殘餘(yú)氣(qì)體的分(fēn)析，可(kě)以獲知在達(dá)到(dào)所需的(dí)最終(zhōng)壓(yā)力或調節(jié)要(yào)求時，殘餘(yú)物質(zhì)的組成，為用戶提供(gōng)有(yǒu)關(guān)真(zhēn)空(kōng)室和 / 或(huò)真(zhēn)空組(zǔ)件(jiàn)狀態(tài)的重要(yào)信(xìn)息(xī)。

• 泄漏檢測：部分 RGA 具有氦氣泄漏檢(jiǎn)測(cè)模式(shì)，通過軟(ruǎn)件(jiàn)控製(zhì)激活，可幫助(zhù)用(yòng)戶(hù)發(fā)現真空係統中(zhōng)的(dí)泄漏(lòu)點(diǎn)。

• 過(guò)程(chéng)監測：能在(zài)一(yī)定(dìng)測量(liáng)範圍(wéi)內(nèi)隨(suí)時間觀察選(xuǎn)定質(zhì)量(liáng)強度，並對選(xuǎn)定(dìng)質(zhì)量分配警報(bào)循環閾值(zhí)，實現實時過(guò)程觀察和控(kòng)製(zhì)。

應用(yòng)領域

• 半(bàn)導體和顯示器製(zhì)造：用(yòng)於(yú) ALD，CVD，PVD 和(hé)蝕刻等(děng)工(gōng)藝的過(guò)程監(jiān)控(kòng)，實時(shí)減(jiǎn)少(shǎo)廢品，提(tí)高(gāo)產量。例如，監(jiān)測濺(jiàn)射過程中 Ar，H₂殘(cán)留，檢測(cè) SiH₄，NF₃分解(jiě)產物等。

• 材料(liào)科學研究(jiū)：可進行放(fàng)氣率(shuài)測(cè)試(shì)，量化(huà)高分子(zǐ)材料，納米(mǐ)塗(tú)層在真空環(huán)境下(xià)的(dí)氣體(tǐ)釋放動力(lì)學；還(huán)能進(jìn)行(háng)滲透率(shuài)研究，測定材料(liào)在(zài)極*溫度(dù)下(xià)的氣(qì)體(tǐ)滲透係數。

• 真(zhēn)空(kōng)鍍膜(mó)：監測真(zhēn)空(kōng)鍍膜過程相關氣體成分(fēn)，提(tí)供氣(qì)體成(chéng)分定量(liáng)測(cè)定，確定(dìng)過(guò)程氣體純度等(děng)，保(bǎo)證鍍膜(mó)質(zhì)量。

• 冷凍(dòng)幹燥等(děng)工(gōng)業應(yīng)用：對(duì)真空(kōng)係統(tǒng)中的殘(cán)餘氣(qì)體(tǐ)進行(háng)分(fēn)析，了解係統(tǒng)狀態，優(yōu)化(huà)工藝參(cān)數。

產品推薦(jiàn)

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關鍵(jiàn)指標與能力

• 質量範(fàn)圍：RGA100（1–100 amu），RGA200（1–200 amu），RGA300（1–300 amu）。

• 分辨(biàn)率(shuài)與動態範圍(wéi)：優於約(yuē) 1 amu；單掃約(yuē) 6 個(gè)數量級動(dòng)態(tài)範圍(wéi)。

• 檢測(cè)限(xiàn)：法拉(lā)第杯(bēi)約 5×10^-11 Torr；可選(xuǎn)連(lián)續打拿極電(diàn)子倍增(zēng)器（CDEM）至約(yuē) 5×10^-14 Torr。

• 接口(kǒu)與(yǔ)控(kòng)製：RS-232（可(kě)選(xuǎn)以太網(wǎng)）；Windows 圖形軟件 + LabVIEW 驅動，支持(chí)多頭與腳本化控製(zhì)。

• 可維護(hù)性：用戶(hù)可現場(cháng)更(gēng)換燈(dēng)絲(sī)與 EM；內置源脫氣，過壓燈絲(sī)保護，ECU 可(kě)分(fēn)離(lí)便於烘(hōng)烤。