棱(léng)鏡耦合(hé)測(cè)試(shì)儀：

       可(kě)以提(tí)供精(jīng)確的(dí)，非接觸，無損(sǔn)膜(mó)厚度(dù)測(cè)量，適(shì)用於(yú)薄膜厚(hòu)度在2-100µm的(dí)聚合物(wù)材(cái)料(liào)，矽(guī)基氧(yǎng)化(huà)膜，矽基(jī)玻(bō)璃(lí)膜，在幹(gān)涉條紋產(chǎn)生(shēng)的基(jī)礎上通過(guò)改變角(jiǎo)度產生幹(gān)涉條(tiáo)紋（VAMFO-變角度單色(sè)條紋觀(guān)測(cè)）的方法(fǎ)。對於(yú)厚膜(mó)折射(shè)率的測(cè)量(liáng)，單色(sè)光被直(zhí)接照射到(dào)被測樣品(pǐn)上(shàng)，這(zhè)樣(yàng)，從薄(báo)膜表(biǎo)麵反射回來的(dí)光的(dí)幹涉小值就會發生變化(huà)，光的(dí)入射角(jiǎo)也會發生(shēng)變(biàn)化(huà)。在這種(zhǒng)技術(shù)中，薄膜厚度(dù)是由兩個(gè)幹涉小值的角(jiǎo)的位(wèi)置(zhì)計(jì)算(suàn)出來的。對於這種測量條(tiáo)件——薄(báo)膜具有兩(liǎng)個或兩(liǎng)個以(yǐ)上(shàng)的幹(gān)擾小(xiǎo)值——薄(báo)膜(mó)厚度必須(xū)大於低(dī)脫(tuō)粒(lì)率，通常為2微(wēi)米。樣品夾持(chí)機(jī)采用真空(kōng)從(cóng)背(bèi)麵支(zhī)撐樣品(pǐn)，安(ān)裝方便(biàn)簡單。可(kě)測量(liáng)薄膜(mó)/基底的(dí)類型(xíng)，矽(guī)襯底(dǐ)上幾乎任(rèn)何透明(míng)或半透明材料(liào)的(dí)氧(yǎng)化物(wù)，氮化(huà)物，介(jiè)質，聚(jù)合(hé)物(wù)或(huò)薄(báo)膜(mó)。可(kě)測量(liáng)的(dí)薄膜(mó)/襯(chèn)底類型(xíng)：氧化物，氮化物，介(jiè)電(diàn)材(cái)料(liào)，聚合物，或矽襯(chèn)底(dǐ)上(shàng)幾乎任何透(tòu)明或半(bàn)透明材(cái)料的(dí)薄膜。

  

主(zhǔ)要技術指標(biāo)：
 

       折(zhē)射率準確度:±0.0005(甚至更(gēng)高0.0001-0.0002)

       折射率分辨(biàn)率:±0.0003(甚(shèn)至高於(yú)0.00005)

       厚(hòu)度精度(dù):±(0.5%+50Å)厚(hòu)度(dù)分辨(biàn)率:±0.3%

       折(zhē)射(shè)率(shuài)測量範圍(wéi):1.0-3.35

       操(cāo)作波長:632.8nm,1310nm,1550nm以及其他(tā)可見光(guāng)/近紅(hóng)外(wài)光

       允(yǔn)許(xǔ)的(dí)基底材料(liào):矽，砷化镓(jiā)，玻(bō)璃，石英，GGG，藍寶(bǎo)石，鋰(lǐ)酸铌等

       軟件:windowsversion操作(zuò)軟(ruǎn)件

       輸(shū)出:計(jì)算機顯示(shì)和打(dǎ)印機(jī)輸(shū)出(chū)

 

主(zhǔ)要(yào)應(yīng)用領(lǐng)域：

       光(guāng)波導器件

       激光晶(jīng)體(tǐ)材(cái)料

       聚合(hé)物(wù)材料(liào)

       顯示(shì)技(jì)術(shù)材料

       光/磁存儲材料

       光學薄膜(mó)