InGaAs陣列探(tàn)測器在零下(xià)10度(dù)時工作穩定，可以(yǐ)保(bǎo)證它長(cháng)期使(shǐ)用，儀(yí)器的(dí)內(nèi)置(zhì)機械快門通(tōng)過係統時鐘控製，並且和陣(zhèn)列(liè)讀(dú)出(chū)器的操作同步，暗(àn)信(xìn)號可以(yǐ)通過(guò)內(nèi)置的電子(zǐ)周(zhōu)期時(shí)間自(zì)動(dòng)測量。

　　和常規(guī)的(dí)掃(sǎo)描(miáo)近紅外分光(guāng)光度計(jì)相(xiāng)比較，InGaAs陣列探(tàn)測(cè)器具有減少(shǎo)測量(liáng)時(shí)間和(hé)提高測量信噪比的優點(diǎn)，讀(dú)出數據速(sù)率在100KHZ，在(zài)一(yī)些快(kuài)速(sù)測量中可以更(gēng)快，豐(fēng)富的(dí)附(fù)件可(kě)以在過程(chéng)控製，光譜分(fēn)析，環(huán)境監測等領域(yù)應(yīng)用(yòng)，它(tā)通過組件(jiàn)的(dí)搭配可(kě)以測量傳(chuán)輸(shū)，反射(shè)，吸收(shōu)及其(qí)它(tā)測(cè)量(liáng)項(xiàng)目，通過(guò)一個(gè)光柵(zhà)優化波長(cháng)範圍，也(yě)可(kě)以(yǐ)在(zài)出廠(chǎng)時配置(zhì)成要求的設(shè)定(dìng)。

　　狹(xiá)縫直接(jiē)進光或(huò)通(tōng)過光纖由SMA連接器進(jìn)入(rù)，光纖方(fāng)式進光(guāng)可(kě)以更靈活(huó)的(dí)通(tōng)過(guò)遙控或(huò)編程控製，對於一些(xiē)高靈活(huó)性的要求，使用(yòng)時(shí)僅(jǐn)通過(guò)狹縫(féng)直接進(jìn)光以(yǐ)避免因為光(guāng)纖進光中(zhōng)光纖(xiān)曲(qū)率變(biàn)化(huà)引(yǐn)起的光傳輸變化，這樣做(zuò)的另(lìng)一個好處(chǔ)是(shì)可(kě)以避免因為光(guāng)纖(xiān)傳(chuán)輸引起的衰(shuāi)減。

　　探(tàn)測(cè)器主要由密封在玻璃殼(ké)內(nèi)的光電陰(yīn)極(jí)和陽極組成，如玻璃殼內(nèi)抽成真空(kōng)就構(gòu)成真(zhēn)空光電(diàn)管
；如(rú)玻(bō)璃(lí)殼(ké)內(nèi)充入選定的(dí)氣(qì)體，使光(guāng)電陰(yīn)極發(fā)射(shè)的(dí)光(guāng)電子經(jīng)過氣(qì)體(tǐ)電(diàn)離放大(dà)，從而(ér)提(tí)高(gāo)其靈敏度，則稱(chēng)為(wéi)充氣(qì)光電管(guǎn)。

　　光電管的典型結構(gòu)是(shì)中(zhōng)心陽(yáng)極型(xíng)。它的(dí)玻(bō)璃殼呈(chéng)球形，並在(zài)內(nèi)半(bàn)球(qiú)麵上(shàng)形成(chéng)光(guāng)電陰(yīn)極，陽極製(zhì)成(chéng)小球或小環形，置於玻璃殼的中心，它具(jù)有(yǒu)光(guāng)照(zhào)麵(miàn)積大，到達玻(bō)璃(lí)殼(ké)的(dí)時間(jiān)分散性小(xiǎo)，極間電容(róng)小的優點(diǎn)。InGaAs陣(zhèn)列探(tàn)測(cè)器常用(yòng)光(guāng)電(diàn)陰極有(yǒu)銻(tī)銫型(xíng)，銀氧(yǎng)銫型(xíng)，鉍(bì)銀氧銫(sè)型(xíng)，多鹼型及負電子親(qīn)和勢型(xíng)，可對不同的(dí)譜段敏感。