基於(yú)半導體材(cái)料的(dí)量子光(guāng)學(xué)設計在量(liáng)子(zǐ)密(mì)碼(mǎ)學以及量(liáng)子通(tōng)訊(xùn)應(yīng)用及研究中發(fā)揮著越(yuè)來越(yuè)重要的(dí)作用(yòng)。在(zài)本(běn)應(yīng)用(yòng)文檔中，我們(mén)將(jiāng)介(jiè)紹砷化镓的(dí)激(jī)子化激(jī)元以及砷化銦(yīn)量(liáng)子點的(dí)光譜(pǔ)學(xué)測(cè)量。所(suǒ)有(yǒu)的(dí)實驗都是在(zài)4~60K的製(zhì)冷溫度(dù)下進行的。

相對(duì)於光之間(jiān)直接作用(yòng)，電控製光學器(qì)件顯得非(fēi)常的(dí)簡(jiǎn)單。因此，在(zài)量子光(guāng)學中，依然通(tōng)過把光(guāng)變為電信號(hào)或者(zhě)將電信(xìn)號(hào)變為光來研(yán)究其(qí)量(liáng)子(zǐ)特(tè)性。

現在通常認為量(liáng)子(zǐ)的(dí)發(fā)射(shè)是(shì)基(jī)於激子(zǐ)化(huà)激元或(huò)者半導體(tǐ)量子點的(dí)。在(zài)*種情況下，一個(gè)窄量(liáng)子阱與(yǔ)周圍(wéi)的空穴(xué)之間(jiān)的相互作用產生光的奇特(tè)態(tài)，並且發(fā)射的(dí)光(guāng)子(zǐ)可(kě)能(néng)是(shì)糾纏的。在第(dì)二(èr)種(zhǒng)情況(kuàng)下(xià)，一(yī)個(gè)真(zhēn)正的(dí)，按(àn)需糾纏的光(guāng)子源是(shì)可以實(shí)現(xiàn)的。我們(mén)采(cǎi)用光(guāng)譜(pǔ)測(cè)量(liáng)的方(fāng)法，來得(dé)到(dào)相(xiāng)關的(dí)物理(lǐ)參數(shù)。

在實(shí)驗(yàn)中(zhōng)采用脈衝(chōng)鈦寶(bǎo)石激光器，空(kōng)間光調製器，5K低(dī)溫製(zhì)冷(lěng)機，收集光路以及Andor SR750光譜(pǔ)儀以(yǐ)及(jí) Andor DU934 深耗(hào)盡型(xíng)CCD。在化(huà)實驗中，為了(liǎo)能(néng)夠測試內(nèi)部(bù)空(kōng)穴的特性，采用光(guāng)纖(xiān)收集反射(shè)或者(zhě)透(tòu)射的(dí)光(guāng)。而在量(liáng)子點的實驗(yàn)中，收(shōu)集(jí)的是(shì)量(liáng)子(zǐ)點的發(fā)光。通(tōng)過光(guāng)纖(xiān)，我們可(kě)以選(xuǎn)擇(zé)不同(tóng)的(dí)空間點進行收集(jí)。