半導(dǎo)體器(qì)件(jiàn)和電路製造(zào)技術飛(fēi)速發展，器(qì)件特征(zhēng)尺寸(cùn)不(bù)斷下(xià)降(jiàng)，而集成度不(bù)斷上(shàng)升。這(zhè)兩(liǎng)方麵的變(biàn)化都(dū)給失效缺陷定位和失效機(jī)理的分析(xī)帶來(lái)巨(jù)大(dà)的挑戰。對於半(bàn)導體(tǐ)失效(xiào)分(fēn)析(xī)（FA）而言，微(wēi)光顯(xiǎn)微(wēi)鏡(jìng)（Emission Microscope, EMMI）是(shì)一種相當(dāng)有用且(qiě)效率(shuài)高的(dí)分析(xī)工具。微(wēi)光顯微鏡其高(gāo)靈敏度(dù)的(dí)偵(zhēn)測(cè)能(néng)力，可(kě)偵(zhēn)測到(dào)半導體組件中電子－電洞(dòng)對再結合時所發射出來(lái)的(dí)光綫，能(néng)偵測到的(dí)波長約(yuē)在350nm ~ 1100nm 左(zuǒ)右(yòu)。它(tā)可以廣泛的應(yīng)用(yòng)於偵(zhēn)測IC 中(zhōng)各種組件缺陷所(suǒ)產生(shēng)的(dí)漏電流，如(rú)： Gate oxide defects / Leakage，Latch up，ESD failure，junction Leakage等。

EMMI的工作原理(lǐ)圖如下：

由(yóu)於(yú)加速載(zǎi)流子(zǐ)發光(guāng)，即在(zài)局(jú)部的(dí)強(qiáng)場(cháng)作(zuò)用(yòng)下產生的(dí)高速載流子與晶格原子發生碰撞(zhuàng)離(lí)化(huà)，發(fā)射(shè)出(chū)光(guāng)子，通常(cháng)其(qí)光譜(pǔ)在(zài)可見光(guāng)範圍內有(yǒu)一個寬的分(fēn)布（ 650-1050 nm ），采(cǎi)用深度製(zhì)冷(lěng)的CCD相(xiāng)機可以拍(pāi)攝到(dào)此(cǐ)現(xiàn)象。

先(xiān)鋒科技(jì)公(gōng)司代(dài)理的英國(guó)安(ān)道爾公司深度製(zhì)冷CCD相機(jī)，5年(nián)的真空封閉(bì)質保期(qī)，免(miǎn)除(chú)了您對於售(shòu)後造成(chéng)的困(kùn)擾，同(tóng)時(shí)相(xiāng)機在近紅外區域(yù)具(jù)有好(hǎo)的(dí)信噪比(bǐ)，針對EMMI的(dí)應用(yòng)，主(zhǔ)要推(tuī)薦CCD相機如下：