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當(dāng)前(qián)位(wèi)置:首(shǒu)頁技術(shù)文(wén)章(zhāng)淺談InGaAs陣列(liè)探(tàn)測(cè)器的原理構成

淺(qiǎn)談(tán)InGaAs陣(zhèn)列探測(cè)器(qì)的原(yuán)理(lǐ)構(gòu)成

更新時(shí)間:2016-11-25點(diǎn)擊次(cì)數:6204
   淺談InGaAs陣列(liè)探(tàn)測器(qì)的原理(lǐ)構(gòu)成
  InGaAs陣列探測(cè)器(qì)主(zhǔ)要(yào)是(shì)將射綫(xiàn)轉(zhuǎn)為可(kě)見光後再(zài)在(zài)電腦上(shàng)顯示(shì)出來(lái)。探測(cè)器是輻射(shè)成像係統(tǒng)中(zhōng)的(dí)關鍵(jiàn)器件之(zhī)一(yī),探測器(qì)性能(néng)的優(yōu)劣(liè)和成像(xiàng)係(xì)統(tǒng)的zui終(zhōng)指(zhǐ)標關係密(mì)切,因(yīn)此(cǐ)在進(jìn)行(háng)成像係統(tǒng)設計時關於探測(cè)器(qì)的設計是(shì)非常關鍵的內容。
  光(guāng)電二管通過(guò)掃(sǎo)描穿過(guò)工件後的(dí)射(shè)綫(xiàn)的(dí)能(néng)量(liáng)後(hòu)生成該工(gōng)件的實(shí)時圖(tú)像,射綫首(shǒu)先穿(chuān)過(guò)工件(jiàn),通過(guò)粘(nián)在(zài)光電二(èr)管(guǎn)上(shàng)的閃(shǎn)爍晶(jīng)體(tǐ)(CDWO4,BGO或(huò)CsI:Ti)而轉變(biàn)成可見(jiàn)光,並(bìng)被(bèi)光(guāng)電(diàn)二管測(cè)量出該可見光(guāng)的強(qiáng)度(dù),該(gāi)強(qiáng)度信號轉(zhuǎn)變(biàn)為微弱的(dí)電信號,從而在(zài)電腦上顯(xiǎn)示(shì)出射綫圖像。
  InGaAs陣列探測器的原(yuán)理構成:
  1,ASIC芯(xīn)片將(jiāng)64路(lù)diodes或1560路Diodes產(chǎn)生(shēng)的(dí)模擬(nǐ)信號(hào)輸出為(wéi)1路差(chà)分信號送到AD電(diàn)路板進行處(chǔ)理
  2,Eltech PCB1024 A/D轉(zhuǎn)換電(diàn)路(lù)板將(jiāng)模擬信號轉化為數字(zì)信號(hào),用(yòng)於綫(xiàn)陣列(liè)探測器掃描係(xì)統LDA中(zhōng)的(dí)中端(duān)
  3,Eltech PCB1017 FX4002 USB電路板,通過USB接口(kǒu)將(jiāng)AD電路產(chǎn)生的信號(hào)發送到電(diàn)腦中,通過電(diàn)腦處(chǔ)理(lǐ)生成(chéng)射(shè)綫圖像。
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